科技前沿领域攻关_科技前沿领域攻关专栏

科技前沿领域攻关_科技前沿领域攻关专栏

       大家好，很高兴能够为大家解答这个科技前沿领域攻关问题集合。我将根据我的知识和经验，为每个问题提供清晰和详细的回答，并分享一些相关的案例和研究成果，以促进大家的学习和思考。

1.请问有哪些国家级的科技攻关计划？

2.任娜：尖端科技领域的铿锵玫瑰

3.2021年我国国家战略科技力量加快壮大关键核心技术攻关取得重

4.广大院士要攻坚克难集智攻关瞄准什么的关键核心技术难题带领团队做出重大突破

请问有哪些国家级的科技攻关计划？

       自然科学基金 鼓励自由科学探索的研究项目 主要目的要培养年轻科技人才；

       863 紧跟国际科技前沿 目的是提高新技术研究与开发，与经济的发展密切相关，是偏应用型的。

       973 是解决国家需求的大规模基础研究项目。

       科技攻关项目如上述。

任娜：尖端科技领域的铿锵玫瑰

       邓小平同志关于“科学技术是第一生产力”的重要论述和党中央关于发展科学技术的一系列重要战略部署和具体政策，有力地促进物探事业的发展。1978年召开的全国科学大会和随着实行的成果奖励、科技人员职称评定等一系列具体办法，有力地调动了广大科技人员的积极性。1985年地矿部召开了表彰大会，对一大批重要的地质找矿和科技成果进行了奖励，其中包括数十项与物探有关的成果。

       “七五”开始的国家重点科技攻关计划的实施，对物探技术发展起到了明显推动作用。如数字地震勘探技术、海洋和沙漠物探方法、第二代航空物探技术等重要项目都得到了国家重点科技攻关计划的有力支持。地矿、石油、冶金、煤炭、核工业等部门都采取了相应措施，加大对物探攻关的支持。地矿部增加了对科技，包括物探新方法研发经费投入，合理使用国家规定的科技三项费用，制定了成果推广计划100项和定向科研项目。煤炭工业部大力推广地震勘探在煤田详查和精查中的应用，制订明确的政策，使“以震代钻”得以落实。由于采取了这些措施，物探新方法的使用与推广取得了较好的效果。物探在区域地质、深部地质、水文、工程和环境地质等方面的应用达到了新的水平。我国自己研制开发的地面伽马能谱、井中和坑道无线电波、井中磁测、井中激电、井中声波等仪器和方法都达到了先进水平。物探技术的进步，为建立一套适合于我国复杂地质条件下寻找深部隐伏矿的工作程序和体系创造了条件，在安徽铜陵、鄂东南、赣西北和江苏安基山都取得了良好的应用效果。我国物探的总体技术水平和解决复杂地质问题的能力向前跨进了一大步。

       1979年区域物探作为我国区域地质调查工作内容正式列入地质工作计划。到“七五”计划末，区域重力已覆盖国土面积达550万km2，为全国可测面积880万km2的60%以上。内部出版了全国1:400万重力图件。1986年起又开始了1:5万综合区域物探调查。所取得的大量资料，为解决一些重要基础地质问题和大比例尺成矿预测奠定了基础。1985年建成了与国际重力标准网1971年系统（ISGN-71）相联系的高精度的“85国家基本网”，形成了完整的区域重力技术和工作体系。这些都标志着我国物探应用已进入地质学的更深层次，地球物理与地质的结合程度也较前更加密切。

       20世纪70年代后期，中国和法国政府间签订了“喜马拉雅地质构造研究”项目的科技合作协议，引进了宽角地震测深、大地电磁测深、地磁差分探测、地热流、古地磁等方法的某些先进仪器和技术。20世纪80年代，中国岩石圈委员会成立，并根据国际岩石圈委员会“全球地学大断面计划”，确定了11条地学大断面，开始了全国范围的深部地质地球物理工作。“七五”期间，地质矿产部把深部地质、地球物理调查列为重点地质调查项目。组成“深部地质、地球物理调查研究协调领导小组”加强领导。深部地球物理工作开始纳入国家地质工作计划，技术水平及应用的深度和广度有了明显的提高。1988年，28届国际地质大会上，中国展出的地学断面成果受到好评。“亚东—格尔木”断面被作为国际岩石圈两大图件成果之一进行延展，并和“响水—满都拉”断面一同列为国际岩石圈委员会资助出版的首批全球地学断面（GGT）图件[10]。

       在水文、工程地质领域，随着大批国民经济基础建设项目的开展，物探得到广泛应用，技术水平迅速提高。物探在核电站的基础调查，高层建筑基桩的无损检测，高速公路路面和路基的质量检测，水库坝址的稳定性研究和坝基、坝身的质量检测等工作中已经成为最主要的探测方法。浅地震，面波地震，高密度电法，探地雷达，井中、井地和井间的声波和无线电波等方法及层析成像技术的应用有了新的进展。

       环境调查成为物探应用的又一新领域。在城市污染调查和监测、地质灾害监测和治理中，物探开始得到应用。在滑坡体的监测、城市地裂缝和堤坝隐患的探测等工作中，物探都取得了很好的效果。物探在地下煤层燃烧区的探测、考古和历史文物的保护方面也得到了有意义的成果[11]。

2021年我国国家战略科技力量加快壮大关键核心技术攻关取得重

       在工业界，新能源 汽车 的热度频频攀升，而小米造车信息的发布，无疑为新能源 汽车 又添了一把火。资本的加入，政策的扶持，让新能源车企市值一路飙升，关于新能源 汽车 的讨论也甚嚣尘上。作为未来新能源 汽车 电控系统的CPU，基于第三代半导体碳化硅（SiC）材料的新型电力电子器件也逐渐走进人们的视野。

        近些年，新型电力电子器件在多项创新领域均发挥重要作用。例如，在2020年国家提出来的中国新基建中，5G基站、特高压、城际高铁和轨道交通、新能源 汽车 充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网，每一项产业的发展都离不开新型电力电子器件技术的支撑。

        虽然新型电力电子器件在新能源建设中发挥着举足轻重的作用，但从国际市场竞争格局来看，美国和欧洲仍处于国际领先地位。而业内人士一致认为，新型电力电子器件的引入将带来电力电子技术的新一轮革命，并将影响世界的能源变换，为创建节能环保型 社会 产生重大作用。所以，新型电力电子器件技术研究方向对中国乃至全球的经济 社会 发展和环境保护都有着非常重大的意义。而浙江大学副研究员任娜的攻关方向正是基于碳化硅半导体材料的新型电力电子器件。

        对于专业的选择，任娜有自己独特的眼光。2006年，她进入武汉大学电气工程学院，学习电力系统及自动化，这在当时是对口国家电网“铁饭碗”的专业。2010年，本科毕业，成绩优异的她被保送至浙江大学电气工程学院，转学电力电子专业。

        为什么要换专业？任娜说，这里面有一段渊源。

        任娜来到浙江大学时，正好遇到2009年从美国回到浙大任教的盛况教授，盛教授在美国新泽西州立大学拿到终身教职之后，放弃国外优厚待遇，毅然投身于国内贫瘠的电力电子器件和功率半导体行业。作为长期从事硅基和碳化硅电力电子器件、封装及应用研究的科学家，盛教授深知中国当时与世界领先队伍的差距，但他依然倾注全力，因为他知道：很多核心技术，一旦被研发出来，就能迅速地颠覆一个产品甚至一个时代。

        盛教授对新型电力电子器件研究现状的描述和对未来发展的畅想刺激了任娜。碳化硅电力电子器件在当时国际上已成为研究热点，而国内在这一研究领域才刚刚起步，任娜相信，在盛教授的带领下，他们可以把国内的电力电子器件与功率半导体行业发展壮大。俗话说，起点低并不可怕，可怕的是境界低。在了解行业重要但技术落后的背景后，任娜果断选择了碳化硅电力电子器件研究方向，并进入盛教授创建的浙江大学电力电子器件实验室，成为国内较早开展碳化硅电力电子器件研发团队的一员。

        事实也证明，任娜的选择很有前瞻性。在大力发展新能源的今天，电力电子器件技术的重要程度已经不言而喻。只是放眼十年前，她的选择还是很有勇气和魄力。

        到了美国以后，任娜的学习一刻也不敢停歇。她发现，美国当时已经有很多企业想要进入电力电子器件行业，但是因为技术门槛高，所以需要寻求高校合作联合开发碳化硅电力电子器件产品技术。这给了任娜锻炼能力的机会。博士后期间，她先后主导了两项大型校企合作项目。“这些项目让我了解了如何把实验室的科研成果应用到企业产品中，实现产业化，也让我了解了科学研究与产业化之间的鸿沟如何弥补，为我回国后继续从事碳化硅电力电子器件技术的研究奠定了基础。”

        从未知到成熟，任娜一直致力于碳化硅（SiC）电力电子器件的相关研究，其中包括SiC二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的物理机制、结构设计、工艺技术、芯片研制、器件测试与失效分析、性能与可靠性优化等方向，并取得了一系列研究成果。例如，在器件领域国际知名期刊与会议上共发表40篇论文，其中SCI论文23篇，获得了3项美国专利，并获得2017届电力电子领域国际学术会议（APEC）杰出报告奖等。

        一路走来，任娜一直踏踏实实地走好每一步。在其博士期间，导师盛教授作为我国电力电子器件领域唯一的“长江学者”和国家自然科学基金委杰出青年科学基金获得者，对任娜严格要求，悉心栽培。也因此，任娜继承了导师严谨的学术作风和清晰的逻辑思维。博士后期间，在电力电子器件学习的殿堂，任娜又继续精进了自己在技术方面的学习，深入国际间的交流与合作，并积累同行业的人脉资源。无论是国内还是国外，在日积月累中，任娜已在不知不觉间高高地站在了学术前沿。

        2019年9月，任娜回国，任教于浙江大学电气工程学院，并于2020年3月双聘至浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院，研究工作主要包括SiC二极管和MOSFET器件的可靠性研究与器件优化设计、新型沟槽型SiC MOSFET器件技术、超高压SiC门极可关断晶闸管器件技术等。

        在最近入选的浙大科创中心青年人才卓越计划中，任娜计划挑战两大领域难点：一是突破现有器件性能的碳化硅沟槽栅极MOSFET技术，二是研制超高压碳化硅门极可关断晶闸管器件。

        在SiC电力电子器件行业，MOSFET器件是中低压应用领域最具市场潜力的开关管类型，但现有的平面栅极MOSFET技术路线面临比导通电阻较大、单位面积导通电流能力受限的问题。如何打破该性能极限，进一步大幅度提高功率器件的性能，是摆在碳化硅MOSFET器件领域面前的一个巨大挑战。

        项目中，任娜将针对近年来国际上兴起的新型沟槽栅极MOSFET器件技术， 探索 沟槽栅极结构沟道迁移率的影响机制和先进的沟槽栅氧工艺技术，研究芯片内部电场分布调控机制和方法，开发碳化硅沟槽刻蚀、栅氧生长、沟槽填充和注入形成电场屏蔽结构等关键工艺，实现高性能和高可靠的碳化硅沟槽型MOSFET器件，大幅度提高碳化硅芯片的导通电流密度，突破现有器件性能的水平。

        虽然挑战的难度很大，但多年的行业浸润和知识积累，让任娜充满斗志。她说：“科研多年，经常遇到仿真不收敛、工艺技术开发失败、器件性能不符合预期等困难，但是遇到问题是解决问题的起点，遇到问题不可怕，可怕的是没有坚持用正确的方法去不断努力攻克它，我相信，每努力一次就离成功更近一步。”

        除了突破现有器件技术，任娜还将挑战超高压碳化硅门极可关断晶闸管的研制。她解释说，如今，电力电子器件已经发展到了第三代，即以新型宽禁带半导体材料SiC和GaN为代表的器件技术，但目前电力系统等高压大功率应用仍然使用传统硅基大功率器件或模块，这限制了系统效率的提升和小型化、轻量化目标的实现。而碳化硅门极可关断晶闸管在高压大功率系统中的应用，可以减少器件数量、降低功率损耗、提高系统效率、减少冷却设备、缩小系统体积，所以，研制超高压碳化硅门极可关断晶闸管器件对国家在能源领域的发展意义重大。

        然而，超高压碳化硅门极可关断晶闸管的研制也面临很多技术挑战：碳化硅材料缺陷对器件内部载流子寿命的影响机制和遏制技术还未探明，碳化硅材料缺陷将导致双极型器件性能发生退化，影响器件的可靠性，碳化硅门极可关断晶闸管的物理理论和器件模型尚不成熟，碳化硅器件的制造工艺十分复杂，与传统硅器件的工艺相差较大，需要自主开发相关的工艺技术和工艺平台，碳化硅门极可关断晶闸管器件与系统应用的结合，需要设计特殊的门极驱动和电路拓扑结构。

        但任娜心里清楚，未来，电力电子器件的发展必定会朝着更小、更轻、更快、更高效、更可靠的方向发展。因此，她将全力以赴，争取获得碳化硅电力电子器件领域的突破性研究成果。

        除了青年人才卓越计划，近期内，任娜的国家自然科学基金青年基金、台达电力电子科教发展基金项目也将同步进行。虽然事务繁忙，但她说，“人要是对自己没要求，那就什么事都做不成”。

        未来，任娜希望自己可以开发出具有国际一流水平的碳化硅电力电子器件技术，以自身之力，为国家在能源领域的重大战略发展做出应有贡献。“我希望，未来人类 社会 可以更多地从我们今天的大量科学研究成果中获益，这也是我们科研活动的最终目标。”对于科研的前行之路，任娜如是说。

广大院士要攻坚克难集智攻关瞄准什么的关键核心技术难题带领团队做出重大突破

       2021年，我国国家战略科技力量加快壮大，关键核心技术攻关取得重大进展是载人航天、火星探测、资源勘探和能源工程。根据相关信息得知，2021年，我国科技创新面向世界科技前沿，支持了探索基础科学和前沿技术，涌现出了一批原创性的重大成果。科技自立自强，正成为国家发展的战略支撑。

       广大院士要攻坚克难、集智攻关，瞄准"卡脖子"的关键核心技术难题，带领团队作出重大突破.

       一、背景与现状

       在当今科技飞速发展的时代，国家之间的竞争越来越集中在科技创新领域。关键核心技术的突破，对于一个国家的经济、社会和科技发展具有至关重要的意义。

       我国科技界在近年来已经取得了一系列瞩目的成就，但仍然存在一些“卡脖子”的关键核心技术难题，如芯片制造、高端材料、生物医药等领域的技术瓶颈。

       二、院士的引领作用

       广大院士作为我国科技界的****，具有极高的学术威望和丰富的实践经验。他们不仅在各自的研究领域取得了卓越的成就，更肩负着带领团队攻坚克难、集智攻关的重要使命。

       通过院士的引领，可以汇聚一支高水平、多元化的研究团队，共同致力于解决关键核心技术难题。

       三、集智攻关的优势

       集智攻关是一种高效的科技创新模式，通过集中优势资源、汇聚各领域专家，共同攻克某一特定的技术难题。这种模式可以避免低水平重复研究，提高研究效率和成功率。

       在攻克关键核心技术难题的过程中，院士们可以利用各自的学术背景和研究经验，发挥集体智慧，通过多学科交叉融合，为团队提供全面的技术支持和战略指导。

重大突破的期望

       1、科学技术突破的期望

       在文化旅游领域中，科学技术突破的期望主要是指在旅游技术、旅游管理、旅游规划等方面的创新和突破。例如，通过引入先进的旅游管理系统和信息技术，可以提高旅游服务的质量和效率，实现旅游业的数字化和智能化发展。

       此外，在旅游规划方面，通过引入新的规划理念和技术手段，可以创新旅游产品的设计和旅游目的地的建设，提高旅游业的竞争力和可持续发展水平。

       2、行业瓶颈突破的期望

       除了科学技术突破的期望外，重大突破的期望还包括在文化旅游行业中实现一些长期存在的瓶颈的突破。

       例如，在旅游行业中存在的旅游安全、旅游诚信、旅游服务质量等方面的问题，一直是行业发展的瓶颈。通过加强法律法规建设、推进标准化建设、加强行业监管等方面的工作，可以逐步实现这些瓶颈的突破，提高旅游业的整体形象和服务水平。

       好了，关于“科技前沿领域攻关”的话题就讲到这里了。希望大家能够对“科技前沿领域攻关”有更深入的了解，并且从我的回答中得到一些启示。